10.3760/cma.j.issn.0253-3766.2009.03.005
下调Chk1和Chk2基因促进射线照射后HeLa细胞凋亡
目的 探讨下调Chk1和Chk2基因对HeLa细胞射线照射后细胞周期和凋亡的影响及其作用机制.方法 应用流式细胞仪检测不同剂量60Co照射引起的HeLa细胞周期和凋亡的动力学变化,以激光共聚焦显微镜和Western blot法检测转染Chk1和Chk2正义寡核苷酸(sODN)和反义寡核苷酸(AsODN)对Chk1和Chk2蛋白表达的影响,以AnnexinV-PI法、凋亡细胞的周期特异性检测法及透射电镜观察单独或联合转染Chk1和Chk2反义寡核苷酸对射线照射后HeLa细胞凋亡的影响.结果 不同剂量的60Co照射可引起Hela细胞小同程度的G2/M期阻滞,15 Gy的60Co照射48 h后,G2/M期细胞可达75.53%±3.72%.当细胞周期阻滞解除后,细胞凋亡明显增加.转染Chk1 AsODN组的早期凋亡、晚期凋亡和死亡细胞共有94.42%±4.78%,明显高于转染Chk1 sODN组(44.35%±2.08%,P<0.0001);转染Chk2 AsODN组的凋亡细胞共有93.08%±5.24%,明显高于转染Chk2 sODN组(48.98%±3.35%,P<0.0001);而共转染Chk1和Chk2 AsODN组的凋亡细胞共有94.26%±4.92%,明显高于共转染Chk1和Chk2 sODN组(42.46%±2.56%,P<0.0001);共转染Chk1和Chk2AsODN组与仅转染Chk1 AsODN或Chk2 AsODN组比较,差异无统计学意义(P>0.05).凋亡细胞的周期特异性检测结果显示,转染Chk1和Chk2 sODN引起的凋亡主要来自于G1期细胞,而转染Chk1 AsODN或Chk2 AsODN后,G1期、S期、G2/M期的凋亡细胞均较对应sODN转染组明显增加,尤其共转染Chk1和Chk2 AsODN组更为显著.结论 射线照射激活细胞周期检测点信号传导通路引起细胞自我保护,是临床上产生放疗抵抗的主要原因,而阻断该信号通路的关键激酶Chk1或Chk2,可显著增强细胞的放射敏感性,其机制在于改变了凋亡细胞的周期特异性,凋亡细胞可以来自G1、S、G2/M各周期的细胞.
辐射耐受性、Chk1基因、Chk2基因、HeLa细胞系、细胞周期、凋亡
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R73(肿瘤学)
国家重点基础研究发展规划973计划2002CB513108;国家自然科学基金30600667
2009-05-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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