重复经颅磁刺激对精神分裂症患者认知功能的影响

摘要：

目的 探讨重复经颅磁刺激(rTMS)治疗不同时间对精神分裂症患者认知功能的影响.方法 搜集2012年9月至2013年5月首次住院的精神分裂症患者71例,按随机数字表法分为rTMS组(35例,给予10 Hz rTMS真刺激联合利培酮治疗)和伪刺激组(36例,给予10 Hz rTMS伪刺激联合利培酮治疗),共治疗4周,刺激部位为左侧前额叶背外侧.最终完成本研究的患者为68例,其中rTMS组33例,伪刺激组35例.分别于治疗前和治疗4周末(治疗后),采用阳性和阴性症状量表(PANSS)评估2组患者的精神症状;且分别于治疗前、治疗2周末(治疗2周)、治疗4周末(治疗后),采用事件相关电位P300(分析指标为Cz点靶刺激的N1、P2、N2、P3潜伏期及P2、P3波幅)和威斯康星卡片分类测验(WCST)对2组患者的认知功能进行评估,并对患者完成分类数(Cc)、正确应答数(Rc)、错误应答数(Re)、持续性错误数(Rpe)和非持续性错误数(nRpe)进行计数统计.结果 ①治疗4周后,rTMS组阴性症状量表评分明显低于伪刺激组(11.3 ±2.6 vs 14.9 ±3.4,=4.88,P＜0.01);rTMS组和伪刺激组治疗后的PANSS总分及各项评分均明显低于组内治疗前(P＜0.01).②利培酮平均治疗剂量、最大剂量比较,rTMS组分别为(3.0±0.9) mg/d和(3.9±0.6) mg/d,伪刺激组分别为(3.8±1.0) mg/d和(4.7±0.7)mg/d,差异均有统计学意义(t=3.46,P＜0.01;t =5.04,P＜0.01).③与治疗前比较,rTMS组治疗4周末的P2(155.4±24.2 vs 171.7±28.5)、N2(205.4±19.4 vs 228.3±23.4)、P3(295.1 ±24.4 vs 317.5 ±25.5)潜伏期缩短,P2(4.1 ±1.6 vs3.1 ±1.2)和P3(6.9±2.1 vs4.9 ±1.8)波幅升高,Cc(4.4±2.4 vs3.1±2.0)和Rc(31.0±10.5 vs 24.1 ±11.2)增加,Re(18.4±8.9 vs 24.8±10.8)、Rpe(5.7±2.7 vs 8.2±4.3)和nRpe(12.2±6.5 vs 16.6±7.8)减少,伪刺激组的P3潜伏期缩短(299.5 ±27.3 vs320.3 ±29.4)、P3波幅升高(6.0±2.2 vs 4.8±1.9),Cc增加(28.7 ±9.6 vs 23.2±10.7),Re(20.4±8.1 vs25.1±9.7)和nRpe(13.1 ±6.2 vs 16.3 ±7.0)减少,且差异均有统计学意义(P＜0.05).治疗4周后,rTMS组P2、N2潜伏期和P3波幅及Cc、Rc、Re、Rpe、nRpe的改善与伪刺激组相比,组间差异均有统计学意义(P＜0.01).结论 rTMS(10 Hz)联合利培酮治疗可以改善精神分裂症患者的认知功能和降低药物的使用剂量.

关键词：精神分裂症、经颅磁刺激、认知障碍

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资助基金：全军医学科研计划CWS12J071

在线出版日期：2015-04-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：219-223