双侧伏隔核高频脑深部电刺激抑制大鼠成瘾行为消退

摘要：

目的 研究吗啡成瘾大鼠消退期高频脑深部电刺激(DBS)刺激双侧伏隔核对吗啡诱导位置偏爱及复吸行为的影响.方法 选取成年SD大鼠20只,体重280~300 g,将电极外套管通过立体定向手术植入大鼠双侧伏隔核核心部,术后休息5 d,应用腹腔注射吗啡(10 mg/kg)诱导建立吗啡成瘾大鼠位置偏爱模型,建模成功后采用随机数字表法将大鼠随机分为实验组(吗啡+DBS,n=9)和对照组(吗啡+假刺激,n=9),通过DBS电路给予电刺激;实验组给予高频电刺激(刺激参数:频率120 Hz,波宽60 ms,刺激强度0.3 mA,刺激时间30 min/d),对照组给予假刺激.刺激后次日开始测试两组大鼠位置偏爱评分至消退成功,比较两组消退时间;两组大鼠分别于消退成功24 h内诱导复吸,测试位置偏爱评分并进行组间比较.结果 实验组成瘾消退期平均时间(26 d)较对照组(6 d)明显延长.点燃复吸后,实验组伴药箱停留时间为(357.01±192.72) s,显著短于对照组[(704.91±181.35) s;t=2.370,P=0.034 6].结论 高频刺激成瘾大鼠双侧伏隔核会延长成瘾行为消退时间,但会抑制点燃复吸行为.

关键词：电刺激疗法、伏隔核、吗啡、行为、成瘾、复发

所属期刊栏目：50

分类号：R74;R99

资助基金：国家自然科学基金资助项目81171296National Natural Science Foundation of China 81171296

在线出版日期：2017-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：342-347