针刺百会水沟神门对血管性痴呆患者大脑皮层葡萄糖代谢的影响

摘要：

目的:运用正电子发射型计算机断层显像(PET)技术,研究百会、水沟、神门针刺前后,血管性痴呆(VD)患者大脑皮层葡萄糖代谢的变化,从该穴组对脑功能成像的影响,分析其作用机制.方法:10例VD病人随机分为两组.A组治以针对偏瘫的常规穴位(手足三阳经为主),B组加用百会、水沟、神门,治疗前后所有病人均接受PET检测.划定VD患者双侧额叶(眶回)、双侧顶叶、双侧颞叶(海马及海马旁回)、双侧枕叶为感兴趣区.分析各区葡萄糖代谢水平,并进行治疗前后的比较.结果:治疗组患者针刺治疗后,双侧额叶、健脑颞叶的葡萄糖代谢升高具有统计学意义;常规针刺组患者治疗后,健脑颞叶的代谢升高具有统计学意义.结论:初步表明,百会、水沟、神门治疗VD的机理,与其改善额叶、颞叶的葡萄糖代谢有关.

关键词：血管性痴呆、针刺、脑葡萄糖代谢、正电子发射型计算机断层显像

所属期刊栏目：12

分类号：R245.31(中医临床学)

资助基金：中国博士后科学基金2004035593

在线出版日期：2006-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：375-377