生长时间对二硫化钼的化学气相生长及其光电性能的影响

摘要：

二硫化钼(MoS2)的光电子性质与其层数密切相关,少层MoS2因其潜在的应用前景而得到了广泛的研究.本文采用化学气相沉积(CVD)法成功制备了单层高质量的Mos2样品,分别用光学显微镜、拉曼光谱、PL光谱对其表面形貌和光电性能进行了表征,重点探讨了生长时间对MoS2样品的生长及其光电性能的影响.结果 表明,通过控制生长时间能有效调控MoS2的形貌和光电性能,单层MoS2的最佳生长时间为25 min.

关键词：二硫化钼、化学气相沉积、生长时间、晶化质量

分类号：O614.6;TB43(无机化学)

资助基金：安徽省高校自然科学研究重点项目KJ2019A0575;教育部产学合作协同育人项目201802070102;安庆师范大学资助项目2017JYXM034;安庆师范大学物理与电气工程学院资助项目Wdxy2018jyxm001

在线出版日期：2020-04-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：7-11