固态照明中SiC衬底材料产业化关键问题的研究

摘要：

半导体照明行业已形成数百亿美元的产业规模,其中SiC衬底材料具有非常优异的性能,特别适合制造低能耗、大功率、长寿命的照明器件.本文主要围绕物理气相传输法(PVT)产业化制备大尺寸、低缺陷SiC晶体所需解决的4个关键问题展开研究讨论:高纯原料的制备提纯、热场的精确模拟、晶体缺陷的控制以及大尺寸SiC晶体的制备,最终实现高质SiC晶体材料的产业化建设和批量生产能力,为我国固态照明的发展提供关键的核心材料.

关键词：固态照明、碳化硅、物理气相传输法、晶体生长

分类号：O78(晶体生长)

资助基金：国家自然科学青年基金61501437;国家重点研发计划项目2016YFB0400400;上海市科技创新行动计划项目17511106200;中国科学院科技服务网络计划项目KFJ-SW-STS-156

在线出版日期：2018-01-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

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