GaN衬底材料的研究与发展

摘要：

GaN同质外延衬底的研制对发展氮化物半导体激光器、大功率高亮度LED,以及高功率电子器件等是非常重要的.本文介绍了宽禁带氮化物半导体衬底材料研究方面技术原理、新方法以及所取得最新进展.大量创新性的衬底技术的应用,给自支撑GaN衬底在半导体微电子器件和光电子器件等领域大规模生产和应用提供了可能.

关键词：宽禁带半导体、GaN衬底、氢化物气相外延

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家重点研发计划2017YFB0404201;江苏省自然科学基金BK20141320,BE2015111;固态照明与节能电子学协同创新中心;江苏高校优势学科建设工程资助项目;国网山东电力公司技术开发基金

在线出版日期：2018-01-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

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