SiC单晶生长技术研究现状

摘要：

本文回顾了碳化硅单晶材料的发展历程和研究现状.主要讨论了物理气相传输法、高温化学气相沉积法(HTCVD)、液相法等SiC晶体生长方法,针对每种生长方法,阐述了其生长原理及研究现状.

关键词：碳化硅、单晶生长、物理气相传输法

分类号：O782(晶体生长)

资助基金：北京市科技计划项目D171100004517001;北京市科技新星项目Z171100001117068

在线出版日期：2017-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：18-21