GaN体单晶生长研究进展

摘要：

宽禁带GaN半导体器件以其优异的电学和光学特性,已成为目前半导体领域中的研究热点.以高质量GaN体单晶基片为衬底的同质外延生长,是发挥GaN半导体器件优异性能的关键.高质量GaN单晶基片的缺乏已成为当前制约GaN器件发展的瓶颈.本文从影响LED器件设计与制造的关键因素(衬底)分析,综述了近年来几种常见GaN体单晶生长方法,并对它们的发展前景做出了展望.

关键词：GaN、LED衬底、GaN体单晶

分类号：O782(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金61564004;江西省教育厅基金GJJ160785

在线出版日期：2017-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：7-14