10.3969/j.issn.1002-6150.2014.06.003
LED芯片漏电原因分析
LED芯片漏电参数(IR)是判断芯片良率及性能检测的重要参数,但芯片漏电现象一直存在并困扰着业内的工程师.从芯片制造工艺技术出发,详细分析了制造过程中引起LED芯片漏电的潜在原因,包括:电子束蒸镀ITO层时,薄膜缺陷可能带来的芯片潜在漏电原因;钝化层沉积时,薄膜缺陷可能带来的芯片潜在漏电原因;芯片切割裂片时,切割裂片工艺以及芯片成品包装时可能带来的芯片潜在漏电原因.
芯片制造工艺、漏电参数(IR)、漏电原因
TN3;TN4
2012年度江门市LED产业发展专项资金江财工[2012]326
2014-08-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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