10.3969/j.issn.1002-6150.2010.03.004
提高GaN基发光二极管外量子效率的途径
发光二极管(LED)的低外量子效率严重制约了LED的发展,本文主要介绍了提高GaN基LED外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术、分布布拉格反射层(DBR)结构、改变LED基底几何外形来改变光在LED内部反射的路径、表面粗化处理,以及新近的光子晶体技术和全息技术等.并对纳米压印与SU8相结合技术在提高LED外量子光效率方面进行了初步探索.
外量子效率、芯片非极性面/半极性面生长技术、分布布拉格反射层(DBR)结构、光子晶体技术和全息技术、纳米压印技术与SU8技术
TN3;TN2
2010-05-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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