缺血性脑损伤与瞬时受体电位M通道的研究进展

摘要：

缺血性脑血管病是临床常见病、多发病，其发病机制复杂。钙超载在缺血性脑损伤中起重要作用。瞬时受体电位M通道（transient receptor potential melastatin，TRPM）是位于细胞膜上的一类重要的非选择性阳离子通道超家族，对钙离子有较高的通透性，在缺血性脑损伤中起重要作用，对TRPM通道的研究将成为治疗缺血性脑损伤新的靶点。本文就胞内钙离子超载在缺血性脑损伤中的作用、TRPM通道及其参与的缺血性脑损伤的机制予以综述。

关键词：脑缺血、钙超载、瞬时受体电位M通道

分类号：R743.3(神经病学与精神病学)

资助基金：国家自然科学基金项目31271206。

在线出版日期：2014-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：46-49