10.11817/j.ysxb.1004.0609.2021-42774
全金属间化合物微焊点的制备及性能表征研究进展
基于微凸点和硅通孔的3D封装是一种通过多层芯片垂直互连堆叠,将芯片技术与封装技术进行结合的新技术,满足了电子产品微型化、高性能的发展需求,是实现下一代超大规模集成微系统的核心互连技术.3D封装技术对互连焊点有一个特殊的要求,即在向上堆叠芯片时,低级封装的焊点不应被重新熔化.低温下制备全金属间化合物(Intermetallic compound,IMC)微焊点为实现叠层芯片互连提供了新的解决方案.本文对近年来全IMC微焊点的制备工艺和基本原理进行综合分析;揭示Cu-Sn系统界面反应的扩散机制及IMC生长动力学规律;对比不同键合参数下全IMC微焊点的服役可靠性.最后,指出各种全IMC微焊点制备工艺的优缺点,并对其未来研究发展趋势进行展望.
全金属间化合物微焊点、瞬态液相键合、温度梯度键合、电流驱动键合、超声辅助瞬时液相键合、瞬态液相烧结
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TG425.1(焊接、金属切割及金属粘接)
国家自然科学基金;江苏省自然科学基金资助项目
2023-06-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共15页
1129-1143