电沉积层中Cr-O-C界面影响Cu/Ni复合体脱模的分子动力学模拟

摘要：

由于电沉积中基底和镀层存在结合力,脱模过程中,微观撕裂不可避免,因此,镀层的最终表面质量受界面结合力的影响.而Cr离散晶核形成的Cr-O-C界面可以起到很好的辅助脱模作用.由于微观撕裂难以原位观察,撕裂过程和Cr离散晶核的辅助脱模机理都尚未完全了解.为此,本文利用分子动力学方法对比研究了包含Cr-O-C界面的Cu/Ni复合体和Cu/Ni双金属的拉伸变形.结果表明:Cu/Ni双金属界面对于变形过程中位错传播具有阻碍作用,使材料抵抗塑性变形的能力得到提高.Cr-O-C界面弱化了Cu/Ni复合体强度,最大应力下降达80.68％.Cu/Ni双金属的断口在Cu基体上,断裂之前Cu基体发生明显的塑性变形.Cr-O-C界面减少了Cu/Ni界面的失配位错数量和键合密度,降低了界面强度,Cu/Cr-O-C/Ni复合体断口在界面处,断裂之前没有明显的塑性变形.

关键词：力学性能、位错、弱连接、变形、分子动力学

所属期刊栏目：33

分类号：TG113.25(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金52175407

在线出版日期：2023-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：565-576