10.11817/j.ysxb.1004.0609.2021-37832
rGO-Sb2Se3薄膜电化学共沉积制备及光电化学性能
采用恒电位沉积法,在二元Sb-GO溶液体系中得到rGO-Sb预制层,在此过程中,GO被有效还原成rGO,并与Sb形成化学键.随后通过将预制层进行二段硒化热处理,快速去除多余的Se制备出rGO-Sb2Se3光阴极薄膜.通过XRD、SEM、Raman、XPS、UV-vis及PEC等手段对薄膜样品进行表征以及光电化学性能测试.结果表明:负载rGO使得rGO-Sb2Se3在700 nm以内的可见光区域的光吸收系数显著提升.rGO优良的导电性能及较高的载流子迁移率,可以快速转移电荷,抑制载流子的复合,因此光电化学性能以及光稳定性大大提高,光电流密度增大至接近Sb2Se3单相的2倍(?0.20 mA/cm2).又因为rGO-Sb2Se3导带位置(?0.74 V vs.RHE)远负于析氢电位(0 V vs.RHE),故可作为一种新型光还原产氢的阴极,具备广阔的应用前景.
恒电位沉积;硒化锑;还原氧化石墨烯;光电化学
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TF80(有色金属冶炼)
国家自然科学基金;湖南省自然科学基金资助项目;中国博士后科学基金资助项目
2022-03-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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