BiCuSeO硒氧化合物的微波超快合成及Bi,Cu空位对化合物电输运性能的影响

摘要：

采用微波加热4 min成功合成了Bi1?xCuSeO和BiCu1?ySeO(x,y=0,0.02,0.03,0.04,0.05),随后在650℃下采用放电等离子烧结5min获得相对致密度约95％的热电块体,并对它们的物相组成、微观结构、电输运性能进行系统研究.X衍射分析表明,样品衍射峰与四方晶系BiCuSeO标准卡片吻合,但部分样品中含有少量杂质;微观结构分析结果表明,空位样品晶粒呈针状、条状,平均晶粒尺寸约为2～4μm;电性能分析表明,虽然空位样品的塞贝克系数相比非空位BiCuSeO样品的略有降低,但空位处理显著提高了样品的导电性,其中Bi空位浓度对Bi1?xCuSeO电阻率的影响较不规律,BiCu1?ySeO样品电阻率随Cu空位浓度提高呈规律性降低、导电性增强.综合来看,空位处理可以大幅提高样品综合电性能即功率因子,其中Bi0.96CuSeO的功率因子最高达到395.1μW/(K2?m),BiCu0.95SeO功率因子最高达到481.5μW/(K2?m),分别为非空位BiCuSeO样品最高功率因子的2.1倍和2.5倍.

关键词：铋铜硒氧、微波合成、Bi/Cu空位、电阻率、功率因子

所属期刊栏目：31

分类号：TQ174

资助基金：国家自然科学基金资助项目51974005,51574134

在线出版日期：2021-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：410-418