10.11817/j.ysxb.1004.0609.2020-39605
掺杂剂对SnO2基导电膜性能的影响
以SnCl4·5H2O和SnCl2·2H2O为Sn源,分别以SnF2、SbCl3和La(NO3)3·6H2O为掺杂剂,采用溶胶-凝胶-气相沉积法制备了SnO2基导电膜,主要研究掺杂剂的掺入对薄膜的表面形貌、微观晶体结构及光电性能的影响,探讨其掺杂机理.通过四探针电阻率/方阻测试仪、双光束紫外可见分光光度计、扫描电子显微镜、X射线粉末衍射仪和X射线光电子能谱分析系统等设备对SnO2基导电膜进行测试分析.结果表明:采用3种掺杂剂制备的SnO2基导电膜均为四方金红石结构,其表面形貌分别为金字塔状、贝壳状以及不规则多面体状.其中SnO2:Sb导电膜的性能最好,当以掺杂量为12%(摩尔比)的SbCl3为掺杂剂时,SnO2基导电膜的电阻率为1.36×10-3Ω·cm,透射率为78.9%,综合光电性能指数为61.87×10-4Ω-1.另外,不同掺杂元素的掺杂类型不同,对能级结构、晶胞结构、表面形貌、综合光电性能的影响也不同,且n型掺杂剂改性效果优于p型掺杂剂.
SnO2基导电膜、光电性能、掺杂剂、掺杂机理
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TB34(工程材料学)
国家自然科学基金资助项目51872174
2020-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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