基于硅藻土多孔陶瓷衬底制备SnO2纳米线及其低温H2S气敏性能

摘要：

采用热蒸发法在镀金硅藻土多孔陶瓷衬底表面合成出SnO 2纳米线,通过XRD、SEM、TEM和XPS等检测手段对SnO 2纳米线的微观形貌、晶体结构及元素组成进行分析,探讨硅藻土多孔陶瓷衬底对SnO 2纳米线生长的影响.结果表明:该衬底上所获产物为具有四方相晶体结构的SnO 2纳米线,直径为53～170 nm,长度为10μm～1 mm.该硅藻土陶瓷衬底的多孔特性增加材料的成核位点,有利于Sn蒸气与Au液滴的高概率融合并快速饱合析出,从而促使SnO 2纳米线具有高产率和高长径比.气敏检测结果表明,在较低工作温度条件下,基于所获SnO 2纳米线的气体传感器对浓度为5×10?7～1×10?5(体积分数)的H 2 S具有优异的气敏特性,同时具有良好的稳定性及选择性.

关键词：硅藻土、多孔陶瓷、二氧化锡、纳米线、气体传感器

所属期刊栏目：30

分类号：TN304.92(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目;中央高校基本科研业务费专项资助项目;矿物加工科学与技术国家重点实验室开放基金资助项目

在线出版日期：2020-12-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：2350-2359