La掺杂AgSnO2触头材料导电性能的第一性原理分析

摘要：

AgSnO2是一种较为理想的AgCdO替代材料,但由于其中SnO2近乎绝缘,使得触头材料的接触电阻增大,故改善SnO2的导电性是急需解决的重大难题.采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法,通过建模的方法,分别建立不同比例(50%、25%、16.67%、12.5%、8.34%)La掺杂的SnO2晶胞模型,并计算分析其晶格常数、电荷布居、能带结构和态密度等性质.结果表明,La掺杂后触头材料中的SnO2仍属于直接带隙半导体材料,但其禁带宽度变小,载流子浓度变大,使得材料的导电性增强.当La掺杂比为16.67%时导电性最佳.

关键词：La掺杂SnO2、第一性原理、电子结构、电学性质

所属期刊栏目：27

分类号：TM501(电器)

资助基金：河北省自然科学基金项目E2016202106;河北省高等学校科学技术研究项目ZD2016078 ProjectE2016202106 supported by the Natural Science Foundation of Hebei Province, China;ProjectZD2016078 supported the Science and Technology Research of the Higher Education Institutions of Hebei Province, China

在线出版日期：2018-02-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：2552-2559