VO2/C-TiO2纳米管复合阵列的制备及其超电容性能

摘要：

在阳极氧化法制备有序TiO2纳米管阵列(TiO2 NTAs)的基础上,通过气氛保护退火实现碳改性处理(C-TiO2 NTAs),并进一步采用水浴沉积工艺可控制备VO2/C-TiO2纳米管复合阵列(VO2/C-TiO2 NTAs).采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、场发射扫描电镜(FESEM)和场发射透射电镜(TEM)对VO2/C-TiO2 NTAs的物相、成分和形貌进行表征,利用循环伏安(CV)、恒电流充放电(GCD)以及电化学阻抗谱(EIS)测试VO2/C-TiO2 NTAs的超电容性能.结果表明:在浓度为0.01 mol/L的VOSO4溶液中90℃沉积3 h,VO2/C-TiO2 NTAs的比电容最佳,当电流密度为1 A/g、比电容为316 F/g,且经过1000次恒电流循环充放电后,其电容保持率为82%.

关键词：VO2纳米颗粒、TiO2纳米管阵列、水浴沉积、超电容性能

所属期刊栏目：27

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目51302060,51402081;安徽省自然科学基金资助项目1608085QE105;中央高校基本科研业务费专项基金资助项目JZ2016HGTB0719 Projects51302060, 51402081 supported by the National Natural Science Foundation of China;Project1608085QE105 supported by the Natural Science Foundation of Anhui Province, China;ProjectJZ2016HGTB0719 supported by Fundamental Research Funds for the Central Universities, China

在线出版日期：2017-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：1632-1642