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10.19476/j.ysxb.1004.0609.2017.08.10

V掺杂MoO3纳米带的制备及V掺杂对乙醇气敏性能的影响

引用
针对MoO3气敏材料工作温度较高(300~500℃)、对低浓度气体检测能力有限等问题,采用水热法制备V掺杂MoO3纳米带材料并组装成气敏元件,测试测试并探究不同V掺杂量对乙醇气敏性能的影响.结果表明:当前躯体中n(V):n(Mo)为1:10时,气敏元件对乙醇气敏性能最佳.V掺杂MoO3纳米带的最佳工作温度相比于纯MoO3纳米带降低约80℃,对1000×10?6(体积分数)乙醇响应值为基于纯MoO3纳米带元件的5.2倍,说明V掺杂可以有效降低MoO3材料的乙醇检测温度,并显著提高气敏响应值.

气体传感器、MoO3纳米带、V掺杂、响应值

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2017-10-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共10页

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