一维钨纳米结构阵列的可控制备

摘要：

采用金属催化法结合化学气相沉积法制备一维W纳米结构阵列,对一维W纳米结构阵列可控制备进行系统的研究.结果表明:一维W纳米结构阵列的直径主要受到催化剂和N2流量的影响,随着催化剂颗粒尺寸的减小或者N2流量的减小,催化生长后W纳米线直径的尺寸也相应变小;一维W纳米结构阵列的长度主要受到生长时间的影响,生长时间的延长会使W纳米线阵列的长度也相应的增加,有利于超长W纳米线阵列的合成;一维W纳米结构阵列的密度主要受到催化剂和WO3粉末粒径的影响,随着催化剂颗粒的密度的增加或者WO3粒径的减小,W纳米线阵列的密度也相应增加;一维W纳米结构阵列的形貌主要受到生长温度和基片材料的影响.

关键词：一维纳米材料、钨纳米结构、阵列、金属催化法、气相沉积法、可控制备

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分类号：TQ13

资助基金：国家自然科学基金资助项目50804057,50823006,50721003 Projects50804057, 50823006, 50721003 supported by the National Natural Science Foundation of China

在线出版日期：2017-07-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1199-1207