10.19476/j.ysxb.1004.0609.2017.05.012
Lu-F共掺杂ZnO光电性质的第一性原理计算
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势(PWPP)方法,模拟计算未掺杂,Lu、F单掺杂及Lu-F共掺杂ZnO的几何结构、能带结构、态密度分布、光吸收谱和介电常数等性质.结果表明:掺杂后ZnO的晶格常数发生畸变,晶胞体积增大,禁带宽度不同程度地减小;在光学性质方面,F单掺杂较Lu单掺杂和Lu-F共掺杂时在可见光区的吸收系数和反射低,反映前者在可见光范围具有较高的透射率.
ZnO、第一性原理、共掺杂、电子结构、光学性质
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TN3;O64
河北省高等学校科学技术研究重点项目ZD2017008ProjectZD2017008 supported by Key Program of Science and Technology Research of Colleges and Universities in Hebei Province, China
2017-06-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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960-966