西门子法钟罩炉内三氯氢硅氢还原CVD宏观动力学模型
在已导出西门子法三氯氢硅氢还原生成Si-CVD过程本征动力学模型基础上,结合钟罩还原炉内气相物料的基本流动特征和传递-反应-CVD过程,采用反应工程学经典方法,对关键组分在圆柱状硅芯表面CVD层的浓度分布进行分析,导出浓度分布微分方程(零阶贝塞尔方程)和积分方程(零阶贝塞尔函数),建立了Si的沉积速率模型,即考虑CVD层浓度分布时的平均沉积厚度模型和沉积质量模型,忽略CVD层浓度分布时的平均沉积厚度简化模型和沉积质量简化模型.
反应工程、多晶硅、西门子法、三氯氢硅氢还原反应、化学气相沉积、宏观动力学模型
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TQ013.2;O613.72(一般性问题)
宁夏高等学校优势特色专业建设项目宁教高2012348;银川能源学院科研基金资助项目2012年度Project2012348 supported by Advantages and Features of Ningxia Colleges and University,China;Yinchuan Energy Research,China2012
2016-12-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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2042-2048