成型压力对冷等静压-烧结法制备ITO靶材中孔隙缺陷的影响
孔隙缺陷是影响ITO靶材密度及其均匀性的主要原因.研究冷等静压-常压烧结法制备ITO靶材中孔隙的形成机理及其在成型中的变化过程,分析成型压力(模压和冷等静压)对生坯及靶材孔隙缺陷及相对密度的影响.结果表明:尽管模压压力远低于冷等静压压力,但模压过程对ITO生坯中孔隙缺陷的消除具有重要影响;当模压压力由4 MPa提高到20 MPa时,生坯经200 MPa冷等静压后,孔径在15~45 μm区间的孔隙率由1.09%降低为0.2%.实验所用ITO颗粒的屈服压力约为12 MPa.当模压压力小于12 MPa时,生坯中的ITO颗粒仅发生压缩形变;而当其大于12 MPa时,ITO颗粒破碎,致使生坯致密化,从而消除孔隙缺陷.在模压和冷等静压压力分别为24和250 MPa条件下,ITO生坯相对密度达59.3%,烧结后ITO靶材相对密度高达99.1%.
ITO靶材、成型压力、孔隙缺陷、形成机理
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TF12(冶金技术)
教育部新世纪优秀人才计划资助项目NCET-11-0517;中国博士后科学基金面上项目2012M521544
2015-12-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共10页
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