Ce添加对AP65镁合金显微组织及电化学性能的影响
采用熔炼铸造法制备添加不同含量Ce的AP65镁合金。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子探针(EPMA)研究Ce对AP65镁合金显微组织的影响。采用恒电流放电、动电位极化扫描、化学浸泡研究不同Ce含量AP65镁合金的腐蚀电化学行为。结果表明：随Ce含量增加，合金中依次出现棒状或簇状的Al 4 Ce相和块状的Al 2 Ce相。Ce的添加导致AP65镁合金的电化学性能明显提高，添加0.6%(质量分数)的Ce使AP65镁合金的平均放电电位从?1.648 V(vs SCE)负移到?1.756 V(vs SCE)；添加4%的Ce使AP65镁合金具有较小的腐蚀电流密度(19.66μA/cm2)和较高的阳极利用率(84.3%)，与未添加Ce的AP65镁合金相比，阳极利用率提高16.6%。
AP65镁合金、Ce添加、显微组织、电化学性能
TG146.2(金属学与热处理)
国家自然科学基金青年科学基金资助项目51401243；中国博士后科学基金面上资助2014M552151
2015-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
1756-1763
