常压烧结法制备ZnO陶瓷靶材
采用凝胶注模成型技术制备ZnO陶瓷坯体,并在较低温度下常压烧结后获得相对密度达98.6%、晶粒尺寸为1.35μm的陶瓷靶材,研究工艺参数对ZnO陶瓷靶材的相对密度、晶粒生长和电阻率的影响。结果表明:ZnO陶瓷靶材的相对密度随烧结温度升高而增大,在1050℃时达到最大值。适当增大升温速率或延长保温时间都有利于提高其相对密度。晶粒尺寸随升温速率的升高而减小,随保温时间的延长而增大。提高烧结温度和增加保温时间都可降低ZnO陶瓷靶材的电阻率。ZnO陶瓷靶材经1400℃烧结3 h后,获得的电阻率最小(为1.75×10?2Ω·cm)。
ZnO陶瓷靶材、凝胶注模、常压烧结、相对密度、晶粒尺寸、电阻率
TN43(微电子学、集成电路(IC))
国家青年自然科学基金资助项目51202296;教育部高校博士点专项科研基金资助项目2012016212006
2015-07-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共9页
1625-1633