Ti/IrO 2-SnO 2-CeO 2电极的电容特性
采用热分解法在360℃制备了Ti/IrO2-SnO2-xCeO2(摩尔分数)电极,通过 X射线衍射(XRD)、交流阻抗(EIS)和循环稳定实验分析CeO2含量对 Ti/IrO2-SnO2-xCeO2涂层组织、电容性能、频率响应特性和循环稳定性的影响。结果表明:CeO2可抑制IrO2-SnO2晶化,随CeO2含量的增加,IrO2-SnO2的晶化程度逐渐下降。含20% CeO2电极比电容可达505.7 F/g,是同频率下Ti/IrO2-SnO2电极的3倍。CeO2含量不超过20%时,对电极的传荷电阻Rct及弛豫时间常数τ影响较小。经历6000次循环后,10% CeO2电极电容增加了34.39%,20% CeO2电极电容增加了3.45%,
超级电容器、电化学交流阻抗、频率特性、二氧化铱、二氧化铈
TM531(电器)
国家自然科学基金资助项目11374053
2014-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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