单晶硅基体上紫外光诱导生长铜微纳米粒子薄膜

摘要：

在室温条件下，通过紫外光诱导方法在 n 型单晶硅表面成功地生长出长度为1.66~5.80μm、宽度为1.27~2.84μm、厚度在0.24~0.73μm之间变化的铜微纳米粒子。采用电子显微镜(SEM)观察到单个铜粒子表面光滑，并出现数个粒子聚集形成K或L形状的粒子团聚现象。结果表明：改变溶液组分浓度和光照时间可以对铜微纳米粒子的尺寸和致密度进行有效控制。以浓度为1×10-5 mol/L罗丹明6G作探测分子，对制备的铜微纳米粒子薄膜的表面增强拉曼散射(SERS)效应进行研究，证实经过铜微纳米粒子修饰后的单晶硅对其表面吸附分子的拉曼信号确实有增强作用，这是因为铜粒子的表面等离子体效应能够提高样品表面局域场的电场强度。

关键词：单晶硅、光诱导、微纳米粒子、铜、表面增强拉曼散射

分类号：TF811(有色金属冶炼)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50971100，50671082；西北工业大学基础研究基金资助项目NPU-FFR-ZC200931；凝固技术国家重点实验室自主研究课题30-TP-2009

在线出版日期：2014-02-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：197-203