SiCl 4-Zn体系硅化学气相沉积的化学机理

摘要：

基于MP2/6-311G(d，p)方法，计算并得到SiCl 4锌还原各反应通道上各驻点的几何构型、振动频率和能量。根据密度泛函理论，采用广义密度梯度近似和总体能量平面波赝势方法结合周期性平板模型，研究反应驻点在Si(100)面上的吸附、解离及锌还原过程。结果表明：衬底硅参与SiCl 4锌还原反应，SiCl 4易在顶位吸附解离成-SiCl 3和-Cl自由基；当硅基表面有-Cl自由基吸附时，气相中的Zn原子或硅基面吸附的-ZnCl自由基更容易与-Cl自由基结合，而不是与含氯的硅自由基(-SiCl n ，n=1~3)结合。

关键词：多晶硅、密度泛函理论、锌还原、反应机理

分类号：O641(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50574045

在线出版日期：2014-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：3260-3266