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负偏压对磁控溅射TaN薄膜微观结构和性能的影响

引用
采用磁控溅射技术制备一系列不同负偏压的TaN薄膜。分别采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、原子力显微镜、纳米压痕仪和高温摩擦磨损仪研究不同负偏压对单层TaN薄膜的微观结构、表面形貌、力学性能和摩擦性能的影响。结果表明:TaN薄膜主要为面心δ-TaN和斜方Ta 4 N晶体结构,择优取向随着负偏压的不同而不同;当负偏压为80 V时,TaN薄膜的硬度和弹性模量均达到最大值,分别为30.103和317.048 GPa,并且此时薄膜的膜?基结合最强;常温下单层TaN薄膜的摩擦因数与负偏压关系不大,基本保持在0.64~0.68之间;高温下,随着温度的升高,摩擦因数逐渐降低。

TaN薄膜、负偏压、微观结构、摩擦性能

TG174.44;TG148(金属学与热处理)

国家自然科学基金资助项目51074080;江苏省自然科学基金资助项目BK2008240

2013-09-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共8页

1923-1930

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中国有色金属学报

1004-0609

43-1238/TG

2013,(7)

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