K9和 Si(100)基片上 Be 薄膜微观组织、晶粒尺寸及表面粗糙度的演变规律

摘要：

采用真空蒸镀法分别在 K9和 Si(100)基片上制备 Be 薄膜,在相同沉积速率下,K9基片上 Be 薄膜生长形态和 Si 基片上 Be 薄膜生长形态存在差异.但是两者随沉积速率增加具有相似的演变规律,即由等轴晶变化至纤维晶,再至粗大等轴晶.XRD 和 XPS 分析结果表明:不同基片和蒸发温度下制备的 Be 薄膜均主要由 HCP 结构的α-Be 相组成,且表面存在一定氧化;对于非晶 K9基片,Be 薄膜晶粒取向较单一,(101)始终为显露晶面;而单晶 Si(100)基片上 Be 晶粒取向多样,在一定沉积速率下显露特定晶面;相同沉积时间下 K9和 Si(100)基体上生长的 Be 薄膜粗糙度 Rq 变化趋势十分相似,两者随 Be 薄膜沉积速率(v)增加先急剧增大后趋于平缓;以细小等轴晶生长的薄膜表面光洁度较高,而以纤维晶或粗大混晶生长的薄膜表面粗糙度较大.

关键词：Be 薄膜、等轴晶、沉积速率、表面粗糙度

分类号：TB43;TG174.444(工业通用技术与设备)

在线出版日期：2013-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1079-1085