高分子辅助化学溶液沉积法制备涂层导体SrZrO3(SZO)缓冲层

摘要：

采用高分子辅助的化学溶液沉积法,通过720~800℃之间进行烧结成相,分别在氩气和空气中SrTiO3(STO)单晶基底上沉积得到织构良好的SrZrO3(SZO)外延薄膜,重点研究不同热处理气氛对SZO薄膜织构和表面微结构的影响.结果表明:氩气中制得的SZO外延薄膜c轴取向较好,且表面更加平整致密;氩气中770℃制备的SZO薄膜厚度超过230 nm.而空气中制得的SZO薄膜表面呈现局部团聚和开裂.在氩气中采用高分子辅助的化学溶液沉积法有利于制备出低成本、高性能的涂层导体用单一SZO缓冲层.

关键词：涂层导体、SrZrO3缓冲层、化学溶液沉积法、织构

分类号：TB33?TB34?O511+.3(工程材料学)

在线出版日期：2013-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：162-167