p-CuCr0.91Mg0.09O2/n-Si p-n结的制备与电学特性

摘要：

利用射频磁控溅射制备p-CuCr0.91Mg0.09O2/n-Si异质结.XRD结果表明所制备的纯相CuCr0.91Mg0.09O2薄膜具有(012)取向生长特点,正的霍尔系数确定薄膜的 p 型特性;电流—电压特性测试结果显示 p-CuCr0.91- Mg0.09O2/n-Si异质结具有明显的整流特性,结的开启电压约为1.0 V,在?5.0~5.0 V的电压范围内正向电压与反向方向电压比约为8.2.基于p-n+单边突变结理论,对p-CuCr0.91Mg0.09O2/n-Si异质结的电流曲线进行模拟,模拟结果表明界面状态和串联电阻是影响结整流特性性质的重要因素.

关键词：CuCr0.91Mg0.09O2薄膜、整流特性、串联电阻、合成、电学特征

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2013-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：128-132