晶硅衬底参数对太阳电池输出特性的影响

摘要：

利用晶硅电池模拟软件PC1D研究晶硅衬底的厚度、少子寿命及掺杂浓度对电池输出特性的影响规律.结果表明:晶硅衬底的厚度对电池输出特性的影响与其少子的扩散长度有关,衬底厚度的减小有利于其开路电压的提高,存在一最佳厚度值使其转换效率、短路电流及填充因子最高;当少子的扩散长度远大于衬底厚度时,电池的输出特性几乎与衬底厚度无关;当衬底少子扩散长度与衬底厚度的比值为2.5~3.0时,电池的转换效率最高;晶硅衬底的掺杂浓度在5×1015~1×1017 cm?3之间,即电阻率在0.2~3.0?·cm范围内时,晶硅电池能获得良好的输出特性.

关键词：晶硅电池、衬底参数、转换效率、输出特性

分类号：TM914.4

在线出版日期：2012-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2401-2406