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Zn靶与掺铝ZnO靶共溅射制备ZnO:Al薄膜及其性能

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采用Zn靶和ZnO(掺2% Al2O3(质量分数))陶瓷靶在玻璃衬底上共溅射沉积Al掺杂ZnO薄膜,即ZnO:Al透明导电薄膜,研究Zn靶溅射功率(0~90 W)和衬底温度(室温、100℃和200℃)对薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响.结果表明:按双靶共溅射工艺制备的ZnO:Al薄膜的晶体结构均为六角纤锌矿结构,且随着Zn靶溅射功率的增加,薄膜的结晶质量呈现出先改善后变差的规律,薄膜中的载流子浓度逐渐升高,电阻率逐渐降低,而薄膜的光学性能受其影响不大:随着衬底温度的升高,薄膜的结晶性能得到改善,薄膜的可见光透过率增强,电阻率降低.

ZnO:Al薄膜、磁控溅射、Zn靶功率、衬底温度、光电性能

22

O782(晶体生长)

湖南省自然科学基金资助项目09JJ3110;博士点基金新教师项目200805331121

2012-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

1119-1125

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中国有色金属学报

1004-0609

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2012,22(4)

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