C/C复合材料表面原位生长SiCw的工艺

摘要：

以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法在C/C复合材料基体上原位生长碳化硅晶须,研究稀释气体流量、催化剂以及沉积温度对碳化硅晶须生长的影响.结果表明:有催化剂存在时可以制备具有较高长径比的SiCw,无催化剂制备的SiC主要以短棒状或球状SiC为主；随着稀释气体流量或者沉积温度的增加,SiCw的产率是先增加、后减少,在1 100℃、载气和稀释气体流量均为100 mL/min时,制备的碳化硅晶须的产率最高,晶须质量最好.

关键词：碳化硅晶须、C/C复合材料、稀释气体流量、催化剂、沉积温度

所属期刊栏目：22

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：国家高技术研究发展计划资助项目2012AA03A207;国家重点基础研究发展计划资助项目2011CB605800;国家自然科学基金委员会创新研究群体科学基金资助项目51021063

在线出版日期：2012-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：427-433