等离子体电解氧化弧光放电的瞬态测定及温度场模拟

摘要：

为描述等离子体电解氧化(PEO)过程中单个弧光放电通道内部及周围温度场分布,构建圆柱形放电通道模型.采用高速摄像机和概率统计方法,测定铝合金PEO膜层生长典型阶段弧光放电的弧斑密度及通道尺寸等特征参数:通过计算单个弧光的延迟寿命(140 μs)以及能量,获得模型参数.采用Ansys软件模拟单个弧光放电通道内部及周围温度场分布,计算得出弧光通道中心温度超过2×104K,从传热学角度解释了PEO陶瓷层中γ-Al2O3和α-Al2O3的生成过程以及陶瓷层微结构的形成原因.

关键词：等离子体电解氧化、单弧光：瞬态放电、温度场模拟

分类号：TG178(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金面上项目10772179;国家自然科学基金重点项目10832011;中国博士后科学基金资助项目20090460536

在线出版日期：2011-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1681-1687