CaCu3Ti4O12陶瓷的巨介电响应机理

摘要：

针对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷的巨介电性起源存在较大争议的情况,以少量MnO2取代CCTO中CuO或TiO2、采用固相反应法烧结制备名义成分为CaCu3-xMnxTi4O12(x=0～0.3)和CaCu3Ti4-yMnyO12(v=0～0.1)的陶瓷.通过微结构和电性能的演变讨论CCTO陶瓷的巨介电响应机理.结果表明:加入少量MnO2后,所有陶瓷均为体心立方(BCC)类钙钛矿结构的CCTO单相;但是,CCTO陶瓷显微结构从异常长大的晶粒转变成均匀的细小晶粒;同时,CCTO陶瓷的电阻率从107Ω.cm显著提高到109 Ω·cm;介电常数从104显著下降到102;介电损耗从10-1急剧降低到10-3;CCTO陶瓷的巨介电响应是由半导体化的晶界/亚晶界和相对绝缘的晶粒/亚晶粒组成的内部阻挡层电容器(IBLC)所致.在较低温度下(<1 100℃)烧结获得高介电常数、低损耗和温度稳定的CCTO基陶瓷,找到一种降低CCTO陶瓷介电损耗的有效方法.

关键词：CaCu3Ti4O12陶瓷、巨介电常数、内部阻挡层电容器(IBLC)、低介电损耗

所属期刊栏目：21

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划资助项XSJRC2007-16;福建省发改委资助项目827014

在线出版日期：2011-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：630-635