原位生长碳纳米管对化学气相沉积SiC涂层的影响

摘要：

以碳/碳复合材料为基体,MTS为先驱体原料,采用化学气相沉积法在复合材料表面制备CNT-SiC/SiC复合涂层;研究原位生长的碳纳米管(CNTs)对SiC沉积速度和微观形貌的影响.结果表明:CNTs加快SiC的沉积,涂层的平均质量增加速率提高5%,提高沉积的均匀性,且晶粒更细小;经1 100℃恒温氧化10 h后,单一SiC涂层、CNT-SiC/SiC涂层的质量损失率分别为41.11%和34.32%;经(1 100℃,3 min)(→)(室温,3 min)热循环15次后,单一SiC涂层和CNT-SiC/SiC涂层的质量损失率分别为33.17%和30.25%,部分区域涂层脱落及涂层表面形成的气孔是涂层试样质量损失的主要原因.

关键词：碳/碳复合材料、CNT-SiC/SiC复合涂层、碳纳米管、化学气相沉积、氧化

所属期刊栏目：21

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划资助项目2006CB600904;国家自然科学基金委员会创新研究群体科学基金资助项目50721003

在线出版日期：2011-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：418-424