纳米羟基磷灰石的精氨酸表面修饰及其与基因的结合性能
采用水热合成法制备经精氨酸表面修饰的羟基磷灰石纳米颗粒(Arg-nHAP).利用透射电镜(TEM)、Zeta电位分析仪、傅立叶红外光谱仪和X射线衍射(XRD)对Arg-nHAP的形貌、结构、晶粒粒径和Zeta电位进行表征,并将其与质粒DNA(pEGFP-N1)进行凝胶电泳实验,研究Arg-nHAP对基因的结合和保护性能.结果表明:制备的Arg-nHAP粒径较均匀,约为50 nm~80 nm,分散性良好;在pH=7.4时,纳米颗粒的表面净电荷均值为30.89 mV,可与带负电荷的质粒DNA通过静电结合快速形成纳米颗粒-质粒DNA复合物,对结合的DNA起到明显的保护作用;经精氨酸表面修饰的Arg-nHAP可成为一种有效的基因结合载体.
羟基磷灰石、精氨酸、水热合成、基因载体
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TB39(工程材料学)
长沙市科技计划资助项目K0905035-11
2010-08-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
1203-1208