Sn-Cu合金的电沉积行为及添加剂的影响
利用循环伏安和计时安培研究Sn-Cu合金体系在玻碳电极上的电沉积行为,通过阴极极化曲线、SEM观察及EDS分析讨论柠檬酸和硫脲对Sn-Cu共沉积的影响.结果表明,Sn-Cu共沉积过程为扩散控制的不可逆过程;在沉积电位-600~-750 mV的范围内Sn-Cu共沉积初期结晶行为满足三维Scharifker-Hills瞬时成核模型,随着过电位的增大,形核活性点增多,形核弛豫时间缩短;当沉积过电位大于-700 mV时,Sn2+的扩散系数约为 6.435×10-6cm2/s;柠檬酸和硫脲的加入细化了镀层晶粒,使镀层表面更加平整和致密.此外,硫脲的加入降低了镀层中铜的含量,使合金镀层中铜的含量维持在0.5%~2.0%(质量分数).
Sn-Cu合金、形核、循环伏安、电沉积
20
TQ172.84
民口配套资助项目MKPT-98-106
2010-07-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
1006-1012