CuCr1-xMgxO2(0≤x≤0.09)薄膜的光电性能

摘要：

采用射频磁控溅射方法,在石英衬底上制备Mg掺杂的CuCrO2 薄膜.通过XRD、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征该系列薄膜样品的结构与光电性能.结果表明:退火处理后所有薄膜样品的结晶性良好,均为3R型铜铁矿结构;薄膜的电导率随掺杂量的增加而增大.当x=0.09时,样品的室温电导率可达6.16×10-2 S/cm,比未掺杂的CuCrO2提高近400倍,且霍耳测试表明所制备的薄膜为p型导电体.电导率随温度变化关系表明:薄膜样品在200～300 K的温度范围内均很好地符合Arrhenius热激活规律;当x=0.09时,最低激活能仅为0.034 eV.薄膜的可见光透过率与光学带隙宽度均随掺杂量的增加而减小.

关键词：CuCrO2薄膜、CuCr1-xMgxO2薄膜、光学性能、光学带隙、室温电导率、激活能

所属期刊栏目：20

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：北京市教育委员会科技计划资助项目KM200910005023

在线出版日期：2010-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：898-902