Zn-40Al合金中微观缺陷和3d电子的正电子湮没

摘要：

测量Zn单晶、Al单晶、铸态Zn60Al40合金以及冷轧Zn、Al、Zn60Al40的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱.结果表明,单晶Zn和铸态Zn60Al40合金的商谱在约17.4×10-3 m0c处出现一个峰,主要是正电子与Zn中3d电子湮没的作用;当Zn原子和Al原子形成Zn60Al40合金时,Zn原子和Al原子间主要以金属键结合;轧制Al的商谱明显低于单晶Al的商谱,冷轧Zn60Al40合金商谱略低于铸态Zn60Al40合金商谱;而单晶Zn和轧制Zn的商谱几乎重叠;Al、Zn金属和Zn60Al40合金经冷轧后,由于样品中产生了缺陷,而导致正电子平均寿命增加,轧制Al的增幅最大,轧制Zn60Al40合金的增幅次之,而轧制Zn的增幅最小.

关键词：Zn60Al40合金、3d电子、微观缺陷、正电子湮没

所属期刊栏目：19

分类号：TG146.2(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金资助项目10764001;广西自然科学基金资助项目桂科回0832003

在线出版日期：2009-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1575-1579