脉冲电沉积制备电控离子分离NiHCF膜电极

摘要：

采用脉冲电沉积法在石墨基体上制备了铁氰化镍膜(NiHCF膜).通过循环伏安法考察了不同脉冲参数(脉冲电压、脉冲周期、占空比、沉积次数)条件下制备的石墨基NiHCF膜电极的离子交换容量,并通过SEM和XPS分析了膜的表面形貌与组成.结果表明:脉冲电压0.3 V(vs SCE)、脉冲周期0.6 s、占空比为50%时沉积得到的NiHCF膜均匀致密,且具有较大的离子交换容量和良好的稳定性.脉冲电沉积法可用于制备性能优良的电化学控制离子分离膜电极.

关键词：脉冲电沉积、NiHCF膜、电化学控制离子分离、循环伏安

所属期刊栏目：19

分类号：TQ035(一般性问题)

资助基金：国家自然科学基金资助项目20676089,20776091;山西省自然科学基金资助项目2007011029

在线出版日期：2009-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1294-1299