溅射气压对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响

摘要：

采用射频磁控溅射方法,在普通玻璃上制备了具有高度c轴取向的ZnO薄膜,研究了溅射气压(0.2～1.5 Pa)对ZnO薄膜的微观结构和光电性能的影响.AFM、XRD、UV-Vis分光光度计及四探针法研究表明:随着溅射气压的增大,ZnO薄膜沿c轴方向的结晶质量提高,晶粒细化,薄膜表面更加致密,晶粒大小更加均匀;ZnO薄膜在400～900nm范围内的平均透过率均高于85%,其中在0.5～1.5 Pa范围内其透过率高于90%;样品在高纯氮气气氛中经350 ℃,300 s退火后,电阻率最低达到10-2 Ω-cm量级.

关键词：射频磁控溅射、ZnO薄膜、溅射气压、透明导电薄膜

所属期刊栏目：19

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：湖南省科技重大专项资助项目08FJ1002;长沙市科技计划重大专项资助项目K080101-11

在线出版日期：2009-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1278-1283