10.3321/j.issn:1004-0609.2009.07.015
B、Si改性炭/炭复合材料及其摩擦磨损特性
以低密度的C/C复合坯体为预制体,分别采用反应熔渗(RMI)、化学气相沉积(CVD)、浸渍-原位反应技术对其进行陶瓷改性.结果表明:改性陶瓷分别以SiC和c-BN的形式渗入C/C复合坯体内.摩擦试验结果表明:采用RMI技术制备的C/C-SiC复合材料摩擦因数较高,高达0.3到0.9;采用CVD技术制备的C/C-SiC复合材料的摩擦因数在0.20~0.36之间;而采用浸渍-原位反应技术制备的c-BN改性C/C复合材料的摩擦因数较低,为0.10~0.20.SEM观察表明:采用RMI技术制备的C/C复合材料的摩擦表面粗糙、未形成完整的摩擦膜,而采用另两种技术制备的C/C复合材料均形成了较完整、致密的摩擦膜.
C/C复合坯体、碳化硅、氮化硼、摩擦磨损
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TB332(工程材料学)
国家重大基础研究发展计划资助项目2006CB600906
2009-08-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1257-1263