多晶氧化铍陶瓷上金刚石薄膜的生长

摘要：

采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,以CH4和H2为反应气体,在多晶氧化铍陶瓷基体上沉积了金刚石薄膜.采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和激光热物性测试仪进行检测分析,研究工艺参数对金刚石薄膜生长及膜/基复合体热学性能的影响.结果表明:随着CH4浓度的增加(或CH4浓度一定,反应气体总流量增加),金刚石晶粒尺寸逐渐减小,膜/基复合体的热导率逐渐降低;当CH4浓度为2%(体积分数),流量为30 cm3/min,压强为1.33 kPa时,沉积的膜/基复合体的热导率最高,可达2.663 W/(cm·K).

关键词：金刚行薄膜、氧化铍、热丝化学气相沉积、工艺参数、热导率

所属期刊栏目：19

分类号：TQ164

资助基金：粉末冶金国家重点实验室开放基金资助项2008112048;湖南省研究生创新基金资助项目1343-74236000005;中南大学贵重仪器开放共享基金资助项目ZKJ2008001

在线出版日期：2009-06-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：766-772