近净成形制备SiC/Al复合材料Ⅰ:SiC预成形坯的制备

摘要：

以微米级的碳化硅粉和石墨粉为原料,采用氧化结合法制备出不同孔隙含量的、适合液态铝无压渗透的SiC预成形坯.研究SiC多孔陶瓷的低温烧结机理和石墨添加量对SiC陶瓷骨架烧结密度和尺寸变化的影响.结果表明:在1 100 ℃烧结时,碳化硅和石墨粉同时发生氧化反应;SiC氧化产生的结晶态SiO2膜将SiC粉体粘结成陶瓷骨架,石墨氧化去除后形成孔隙;SiC粉体间本征孔隙和石墨去除后留下的孔隙构成三维互连通状态;因SiC氧化导致陶瓷骨架产生4%左右的线膨胀,但坯体不发生形状改变;通过调整石墨含量,能获得孔隙率从0.47～0.63的SiC陶瓷骨架.

关键词：SiC预成形坯、氧化结合、孔隙率、造孔剂、线膨胀

所属期刊栏目：17

分类号：TB331(工程材料学)

资助基金：合肥工业大学校科研和教改项目103-037508;合肥工业大学校科研和教改项目103-037016

在线出版日期：2008-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1833-1837