沉积参数及退火条件对AlN薄膜电学性能的影响

摘要：

利用射频反应磁控溅射在Si(100)基底上沉积AlN介质薄膜,并在不同温度下对薄膜进行快速退火.通过抗电强度测试仪、电容电压测试C-V、X射线衍射仪、电子能谱仪、原子力显微镜和椭圆偏振仪等研究薄膜的击穿电压、介电常数、晶体结构、化学成分、表面形貌及薄膜的折射率.结果表明:溅射功率和溅射气压对薄膜的击穿电压有很大的影响,溅射功率为250 W,气压为0.3 Pa时薄膜的抗电性能较好;薄膜的成分随溅射气压发生变化,N与Al摩尔比最高达到0.845;随退火温度的增加,薄膜晶体结构发生非晶-闪锌矿-纤锌矿的转变;薄膜的折射率随退火温度的升高而增加.

关键词：AlN薄膜、磁控溅射、击穿电压、快速退火

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分类号：TN304.055;TN305.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60171043;60371046

在线出版日期：2007-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1336-1341